สิทธิบัตรสำหรับหน่วยความจำคอมพิวเตอร์แห่งอนาคตอย่าง ULTRARAM ได้ถูกพัฒนาและผลิตด้วยวัสดุซิลิคอนเวเฟอร์ สะท้อนให้เห็นแนวโน้มการผลิตจำนวนมากที่สามารถเกิดขึ้นได้ในอนาคตอีกไม่นาน
ULTRARAM นั้นเป็นเหมือนหน่วยความจำที่หลุดออกมาจากนวนิยายหรือจินตนาการอันห่างไกลด้วยคุณสมบัติอันโดดเด่นของตัวเอง ด้วยการผสมผสานหน่วยเก็บความจำที่ไร้ความผันผวน (Non-volatility) เช่น Flash Memory ที่เรารู้ใช้งานกันในปัจจุบัน ซึ่งมีทั้งความเร็ว ประสิทธิภาพในการใช้พลังงานและความอึดในการทำงานสำหรับหน่วยความจำอย่าง DRAM
คุณสมบัติที่เกิดขึ้นนั้นมาจากการใช้คุณสมบัติเฉพาะของเซมิคอนดักเตอะร์ที่มักใช้ในอุปกรณ์กลุ่ม Photonic เช่น LEDs อย่างไดโอตเลเซอร์และตัวจับอินฟาเรดมาเข้าด้วยกันแต่ไม่ได้เป็นไปในรูปแบบดิจิทัลอิเล็กทรอนิกส์
การค้นทำงานร่วมกันระหว่างภาควิชาวิศวกรรมและภาควิชาฟิสิกส์จาก Lancaster University และภาควิชาฟิสิกส์จาก Warwick ที่ได้ทำให้เกิด ULTRARAM บนซิลิคอนเวเฟอร์เป็นครั้งแรกซึ่งนับเป็นก้าวใหญ่ในการก้าวข้ามความท้าทายของวัสดุมาเป็นการใช้งานสารประกอบเซมิคอนดักเตอร์ที่มีคุณสมบัติการหดตัวของความร้อนที่แตกต่างกันออกไป
ULTRARAM นั้นจะเป็นอุปกรณ์ซิลิคอนที่มีศักยภาพเหนือกว่าอุปกรณ์ที่ใช้เทคโนโลยีสารประกอบ GaAs สำหรับเซมิคอนดักเตอร์เวเฟอร์ที่เคยมีมา สามารถเก็บข้อมูลได้อย่างต่ำ 1 พันปี มีความเร็วในการทำงานระดับสูง มีโปรแกรมระบบการลบข้อมูลที่มีความทนทานสูงทำงานได้นับ 10 ล้านครั้ง ซึ่งดีกว่าหน่วยความจำแบบ Flash 100-1,000 เท่า
ซึ่ง ULTRARAM นี้จะถูกนำไปใช้ในกลุ่มดิจิทัลอิเล็กทรอนิกส์ เช่น นาฬิกาอัจฉริยะและสมาร์ทโฟน ไม่ว่าจะเป็นคอมพิวเตอร์ส่วนตัว Datacenter หรือจะใช้ในหน่วยประมวลผลและชิปความจำที่สร้างจากซิลิคอนก็ได้ด้วยเช่นกัน
ที่มา:
Lancaster.ac.uk
| เนื้อหาที่น่าสนใจ: วัสดุ Elastomeric Resin เกรดการแพทย์สามารถใช้กับการพิมพ์ 3 มิติได้แล้ว |
